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4H-SiC外延生长技术

4262020/03/20
基本信息
  • 需求标题 4H-SiC外延生长技术
  • 需求主体 企业用户
  • 行业领域 电子元器件
  • 需求介绍 1、行业共性技术需求:(1)4H-SiC外延缺陷形成机理和抑制技术。 (2)4H-SiC外延缺陷与器件性能之间相关性的问题,不同器件所对应的致命外延缺陷问题。 2、拟与高校、科研院所合作开发。
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交易信息
  • 项目总投资 500000.00
  • 交易方式 其他
  • 截止日期 2021/03/20
  • 使用区域 福建省-厦门市-思明区
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 分享至:

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